O professor Fan Fengjia da Escola de Física da Universidade de Ciência e Tecnologia da China e o professor Shen Huaibin da Universidade de Henan trabalharam juntos para usar a tecnologia EETA para estudar profundamente as principais questões científicas dos diodos emissores de luz de pontos quânticos baseados em fosfeto de índio verde.
Eles atingiram com sucesso um pico de eficiência quântica externa (EQE) de 26,68% para LEDs de pontos quânticos baseados em fosfeto de índio verde, um brilho de mais de 270.000 cd/m2 e uma vida útil T95 (o brilho decai para 95% do valor inicial) de 1.241 horas com um brilho inicial de 1.000 cd/m2, estabelecendo um novo recorde mundial.
Princípio da absorção transitória eletricamente excitada e principais questões científicas dos LEDs de pontos quânticos baseados em fosfeto de índio
A pesquisa mais recente do professor Fan Fengjia e sua equipe de pesquisa mostra que o principal motivo para o baixo desempenho dos atuais LEDs de pontos quânticos baseados em fosfeto de índio verde é a injeção insuficiente de elétrons e o vazamento severo de elétrons.
Para tanto, a equipe de pesquisa propôs um projeto de barreira baixa e ampla que não apenas melhorou a eficiência da injeção de elétrons, mas também suprimiu eficazmente o fenômeno de vazamento. Com essa otimização, a equipe de pesquisa estabeleceu com sucesso um novo recorde mundial.
Os resultados relevantes da pesquisa foram publicados no periódico Nature sob o título "Eficiente QD-LED verde baseado em InP controlando a injeção e o vazamento de elétrons", marcando um importante progresso na tecnologia de LED de pontos quânticos não tóxicos.
